买卖IC网 >> 产品目录 >> BUV21 两极晶体管 - BJT 40A 200V 250W NPN datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BUV21

库存数量：可订货
制造商：ON Semiconductor
描述：两极晶体管 - BJT 40A 200V 250W NPN
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT 40A 200V 250W NPN
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制造商 ON Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极—基极电压 VCBO 250 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO 7 V
集电极—射极饱和电压 200 V
最大直流电集电极电流 40 A
增益带宽产品fT 8 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 20
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-204-2 (TO-3)
相关资料
属性
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北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
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